메쓰모드 질문좀 드릴께요!
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음. 모스펫이라는 개념에대해서 좀 두리뭉실하게 이해를하고있어서 프로페서 계신가요.. 아니면 미케닉분들이나..
그리고 두발 병렬이 가지는 두발직렬과의 차이점과 장단점에대해서..
또한 비정전압기기라고 불르는 용어에대한 해석과 개념좀 부탁드립니다. 제가.. 쉬운용어도 잘모르니 설명 잘해주실수있는..
초등학생도 이해시킬수있는 분이 ..있을까요 ㅜ.ㅜ
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댓글 11건
tonyX2님의 댓글
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모스펫이란게 벽으로되어잇으며 이제 퍼져나가는 전류를 모와서 일정하게 고루고루 전달하게 도와주는거로 알구있어여 |
맥입문자님의 댓글
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금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET (한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, pMOS FET. etc..라고도 함)
MOS : metal-oxide-semiconductor 금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 (insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 전계효과 트랜지스터를 가리킨다. 폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가리킬 때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 모스펫이라고 부른다. 일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다. 게이트 터미널은 채널에 위치한 폴리실리콘 (다결정 실리콘; 게이트에 폴리실리콘이 쓰이는 이유는 아래의 게이트 항목을 참조할 것)의 레이어이지만 전통적인 이산화 실리콘의 저항층 박막에 의하여 채널로부터 분리되었고 더 진보된 기술은 산소질화 실리콘을 사용하였다. 전압이 게이트와 소스 터미널 사이에 인가됐을 때 생성된 전계는 산화층을 관통하고 채널 아래에 소위 "역채널"을 생성한다. 역채널은 소스와 드레인처럼 P형이나 N형 동일한 형태여서 전류가 통과할 수 있는 전선관을 제공한다. 게이트와 바디사이의 전압을 다양하게 변화하는 것은 이 레이어의 전도를 조절하고 드레인과 소스 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 한다. |
맥입문자님의 댓글
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모스펫 축소의 이유[편집]
소형 모스펫은 몇 가지 이유로 매력적이다. 첫째로 소형 모스펫은 넓이 치수가 짧아져서 더 많은 전류가 통하는 것을 가능하게 한다; 개념상으로 모스펫은 온상태에 있는 저항기와 같고 짧아진 저항기는 더 적은 저항값을 지닌다; 그렇지만 그들은 좁은 폭을 가지고 있어서 비율적으로 더 큰 저항값을 가지게 되는데 진짜 문제점은 단위면적당 저항을 줄이는 것이다. 두 번째로 소형 모스펫은 게이트 영역이 작고 따라서 게이트 전기용량이 작다. 축소된 모스펫은 얇은 게이트 유전체이여서 온상태 단위면적당 저항을 감소시키지만 단위면적당 게이트 전기용량은 커진다; 그럼에도 불구하고 이런 효과는 여전히 좋은 방향으로 간다. 첫 번째 두가지 요소는 짧은 스위칭 시간에 기여하여 빠른 처리 속도와 스위칭당 저전력 특징을 갖는다. 축소된 모스펫에서 세 번째 이유는 면적을 감소시켜서 비용을 감소시킨다. 소형 모스펫은 고밀도 패킹이 가능하여 소형칩이나 동일한 크기에서 계산능력이 뛰어난 칩이 된다. 반도체 웨이퍼에서 제조비용은 상대적으로 고정돼 있기 때문에 집적 회로당 비용은 웨이퍼당 생산할 수 있는 칩의 수와 주로 관련된다. 그러므로 소형 집적회로는 웨이퍼당 더많은 칩을 생산할 수 있어서 칩단가를 감소시킨다. |
맥입문자님의 댓글
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살려주세요.. |
전담꿈나무님의 댓글
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모스펫은 쉽게는 스위칭소자이자 증폭기 입니다
구성이 n형 p형 게이트 이렇게 구성되어있어요 게이트에 전압을 인가하면 +,-전자가 이동하게 되면서 채널이란걸 만들어요 이 채널이란게 전자가 흐를수 있는 길입니다. 게이트 전압을 점점더 가하면서 p형과 n형에 +,-전자가 더 많이 쌓이게 되면서 결국 전류가 흐르게 되는되요 이게 간략히게 모스펫 설명입니다 |
전담꿈나무님의 댓글
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@전담꿈나무비전공이시면 모스펫과 같은 반도체개념은 이해하시기 어렵습니다 그냥 아 이놈땜에 전류가 더 잘흐를수 있구나 라고 생각하시면 될거같아요 |
전담꿈나무님의 댓글
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@전담꿈나무그리고 두발병렬과 두발직렬에 대해서 알려드릴게요 전기회로에서 전압(전담에서는 배터리겠죠?)을은 병렬에서는 항상 일정하고 직렬회로에서는 총전압은 각각의 전압의 합과 같아요 배터리로 예를 들면 병렬인경우는 4.2v짜리 두개 병렬로 연결해도 회로에 걸리는 전압은 4.2v가 되며, 직렬인경우는 4.2+4.2가 되어 8.4v가 됩니다. 이건 전압이구요 다음은 전류 입니다 전류는 전압과 반대로 병렬일때는 회로에 흐르는 총전류는 각각의 전압원(배터리)에서 나오는 전류의 합과 같고, 직렬은 그회로에의 전류는 항상 일정합니다.
즉, 4.2v배터리 두개를 병렬로 연결한경우 코일에 흐르는 전류가 30a가 됬다면 배터리 하나당 흐르는 전류는 15A가 됩니다. 직렬로 연결한경우 아까 위에서 8.4v가 된다 했죠? 여기에 코일을 연결하면 30a가 흐르면 배터리각각에도 30A가 흐르게 됩니다. 그럼 두발 병렬의 장점을 알려드리겠습미다. 전압은 동일하니 4.2v가 되겠죠? 그러면 P=V^2/R의 공식에 의해 코일저항값을 0.1옴으로 세팅했다고 하면 출력p=168W 됩니다. 그럼 이때 각각의 배터리에 흐르는 전류를 구해보면 P=I^2R에 의해 (I는 전류입니다) 전류는 약 41A가 됩니다 위에서 병렬일때는 배터리각각에 흐르는 전류의 합이 총전류가 된다했죠? 따라서 배터리 한발에 흐르는전류는 20.5A가 됩니다 즉, 배터리한발이 부담해야할 전류가 반이 되서 안정적이 되겠죠? 직렬은 8.4v가 된다고 했습니다. 똑같이 0.1옴인 경우 8.4v로 출력을 내면 출력p는 V^2/R에 의해 705W가 됩니다 병렬에 비해 출력이 어마어마 하죠? 힘이 강력해집니다. 하지만 그만큼 전류가 어마어마 하게 흐르겠죠? 전류는 위에 병렬과 같게 계산하심되요 즉 배터리에 흐르는 전류가 엄청나니깐 부담이 커집니다 하지만 힘이 굉장하죠? 그래서 보면 가변은 직렬이니 와트가 200까지 조정가능하고 원하는 전압을 맞춰서 사용하니 선택의 폭이 넓어지죠 전압을 8.4v까지 사용할수 있으니! |
맥입문자님의 댓글
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@전담꿈나무아~ 이해가 쏙쏙되네요 .감사합니다. 그럼 직렬두발과 병렬두발의 파이어 시간이 다를수밖에 없겠네요? 베터리 유지력이. ㅇㅅㅇ |
전담꿈나무님의 댓글
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@맥입문자파이어시간이 뭐죠?? 배터리가 오래간다는 건가요?? 그런거라면 아무래도 병렬이 오래가겠죠?? 부하 분담이 반반이 되니깐요 그래서 배터리 두개 직렬 멕모드 같은 경우는 너무 낮은 옴에서 사용하면 엄청큰전류가 흘러 위험하기때문에 어느정도 높은 옴수대를 사용해야해요 |
맥입문자님의 댓글
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@전담꿈나무이해 끝 감사합니다. !! |
모조님의 댓글
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병렬 낮은옴 직렬 높은옴 |
